| Modellnummer | Ausgangswelligkeit | Aktuelle Anzeigegenauigkeit | Präzision der Volt-Anzeige | CC/CV Präzision | Hochfahren und Herunterfahren | Überschießen |
| GKD12-600CVC | VPP≤0,5% | ≤10 mA | ≤10 mV | ≤10 mA/10 mV | 0–99S | No |
Das Heiznetzteil für monokristalline Siliziumöfen ist eine Hochleistungs-Gleichstromquelle, deren Energie direkt zum Beheizen des Graphitheizelements im Ofen genutzt werden kann. Es ist speziell für hochdotierte Siliziumöfen in der Halbleiterindustrie konzipiert und verwendet ein DC-Chopper-Netzteil. Dieses nutzt ein dreiphasiges Brückengleichrichternetzteil, IGBT-Chopper-Ausgangstransistoren und einen PWM-Steuerungsmodus zur stufenlosen Einstellung der Gleichspannung.
Das Heiznetzteil des Monokristallin-Siliziumofens ist ein Hochleistungs-Wechsel-/Gleichstromwandler, der die Graphitheizung im Inneren des Monokristallin-Siliziumofens mit Energie versorgt.
Das monokristalline Silizium-Netzteil ist ein Hochfrequenz-Schaltnetzteil, das auf Basis eines Hochfrequenz-Wechselrichters, einer Phasenschieber-Vollbrücke und einer PWM-Steuerungstechnologie unter Verwendung von Hochfrequenzbauelementen entwickelt wurde.
(Sie können sich auch anmelden und die Felder automatisch ausfüllen lassen.)