cpbjtp

0~50V 0~5000A polykristallines Silizium-Netzteil

Produktbeschreibung:

Spezifikationen:

Eingangsparameter: 3-phasig, AC480 V ± 10 %, 60 Hz

Ausgangsparameter: DC 0~50V 0~5000A

Ausgabemodus: Gemeinsamer DC-Ausgang

Kühlmethode: Luftkühlung/Wasserkühlung

Stromversorgungstyp: IGBT-basiert

Anwendungsindustrie: Druck und Reduktion im Reduktionsofen für polykristallines Silizium, Kristallwachstum

Produktgröße: 87 * 82,5 * 196 cm

Nettogewicht: 460kg

Modell & Daten

Modellnummer

Ausgangswelligkeit

Aktuelle Anzeigegenauigkeit

Voltanzeigepräzision

CC/CV-Präzision

Hoch- und Herunterfahren

Überschwingen

GKD50-5000CVC VPP ≤ 0,5 % ≤10 mA ≤10mV ≤10 mA/10 mV 0~99S No

Produktanwendungen

Polysilizium ist eine Form von elementarem Silizium. Wenn geschmolzenes elementares Silizium unter Unterkühlung erstarrt, ordnen sich Siliziumatome in Form eines Diamantgitters zu zahlreichen Kristallkeimen an. Wachsen diese Kristallkeime zu Körnern mit unterschiedlichen Kristallebenenorientierungen, kristallisieren diese Körner zu polykristallinem Silizium.

 

Kontaktieren Sie uns

(Sie können sich auch anmelden und das Formular automatisch ausfüllen lassen.)

Schreiben Sie hier Ihre Nachricht und senden Sie sie an uns