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0~50V 0~5000A Polykristallines Silizium-Netzteil

Produktbeschreibung:

Spezifikationen:

Eingangsparameter: 3-phasig, Wechselstrom 480 V ± 10 %, 60 Hz

Ausgangsparameter: DC 0~50V 0~5000A

Ausgangsmodus: Gemeinsamer Gleichstromausgang

Kühlmethode: Luftkühlung/Wasserkühlung

Stromversorgungstyp: IGBT-basiert

Anwendungsbereich: Reduktion von polykristallinem Silizium mittels Ofendruck und -reduktion, Kristallwachstum

Produktgröße: 87 x 82,5 x 196 cm

Nettogewicht: 460 kg

Modell & Daten

Modellnummer

Ausgangswelligkeit

Aktuelle Anzeigegenauigkeit

Präzision der Volt-Anzeige

CC/CV Präzision

Hochfahren und Herunterfahren

Überschießen

GKD50-5000CVC VPP≤0,5% ≤10 mA ≤10 mV ≤10 mA/10 mV 0–99S No

Produktanwendungen

Polysilizium ist eine Form von elementarem Silizium. Beim Erstarren von geschmolzenem elementarem Silizium unter Unterkühlung ordnen sich die Siliziumatome in Form eines Diamantgitters zu vielen Kristallkeimen an. Wachsen diese Kristallkeime zu Körnern mit unterschiedlichen Kristallflächenorientierungen heran, verbinden sich diese Körner zu polykristallinem Silizium.

 

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