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0~50V 0~5000A Netzteil aus polykristallinem Silizium

Produktbeschreibung:

Spezifikationen:

Eingangsparameter: 3 Phasen, AC480V ±10 %, 60 Hz

Ausgangsparameter: DC 0~50V 0~5000A

Ausgangsmodus: Gemeinsamer Gleichstromausgang

Kühlmethode: Luftkühlung/Wasserkühlung

Netzteiltyp: IGBT-basiert

Anwendungsbranche: Polykristalliner Silizium-Reduktionsofendruck und -reduktion, Kristallwachstum

Produktgröße: 87 * 82,5 * 196 cm

Nettogewicht: 460 kg

Besonderheit

  • Eingabeparameter

    Eingabeparameter

    AC-Eingang 480 V ±10 % 3 Phasen
  • Ausgabeparameter

    Ausgabeparameter

    DC 0~50V 0~5000A stufenlos einstellbar
  • Ausgangsleistung

    Ausgangsleistung

    250KW
  • Kühlmethode

    Kühlmethode

    Zwangsluftkühlung / Wasserkühlung
  • SPS-Analog

    SPS-Analog

    0-10V/ 4-20mA/ 0-5V
  • Schnittstelle

    Schnittstelle

    RS485/RS232
  • Steuermodus

    Steuermodus

    Fernbedienungsdesign
  • Bildschirmanzeige

    Bildschirmanzeige

    Digitalanzeige
  • Mehrere Schutzmaßnahmen

    Mehrere Schutzmaßnahmen

    Phasenmangel, Überhitzung, Überspannung, Überstrom, Kurzschluss
  • Kontrollweg

    Kontrollweg

    SPS/Mikrocontroller

Modell & Daten

Modellnummer

Ausgangswelligkeit

Aktuelle Anzeigegenauigkeit

Genauigkeit der Volt-Anzeige

CC/CV-Präzision

Hochfahren und Herunterfahren

Überschießen

GKD50-5000CVC VPP≤0,5 % ≤10mA ≤10mV ≤10mA/10mV 0~99S No

Produktanwendungen

Polysilizium ist eine Form von elementarem Silizium. Wenn geschmolzenes elementares Silizium unter der Bedingung der Unterkühlung erstarrt, werden Siliziumatome in vielen Kristallkeimen in Form eines Diamantgitters angeordnet. Wenn diese Kristallkeime zu Körnern mit unterschiedlicher Ausrichtung der Kristallebene heranwachsen, verbinden sich diese Körner und kristallisieren zu polykristallinem Silizium.

 

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